게이트 드라이버

Diodes Incorporated 게이트 드라이버는 전력 시스템 및 모터 드라이브의 다양한 애플리케이션을 포괄합니다. 이 게이트 드라이버는 마이크로컨트롤러와 IGBT 또는 MOSFET 전원 스위치 사이의 인터페이스 역할을 합니다. 이 게이트 드라이버는 슛스루를 제어하면서 최적의 드라이브 특성을 제공합니다.

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Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 118재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 22재고 상태
최소: 1
배수: 1
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 4,007재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 80A 62.5W 2,994재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 121재고 상태
최소: 1
배수: 1


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 12mOhm 4.5Vgs 3,125재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC 491재고 상태
2,000예상 2026-06-12
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 1,994재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 4,953재고 상태
2,500예상 2026-04-15
최소: 1
배수: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 5,769재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 41V-60V 2,642재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET N-Ch Enh Mode FET 80V 20Vgss 80A 1,152재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 1,976재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 61V-100V 51재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 65재고 상태
최소: 1
배수: 1
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 332재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 187재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 782재고 상태
2,500예상 2026-03-30
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 3,008재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K 518재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 1,771재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 1,463재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 1,695재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 548재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Diodes Incorporated MOSFET 40V 175c N-Ch FET 3mOhm 10Vgs 100A 43재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800