게이트 드라이버

Diodes Incorporated 게이트 드라이버는 전력 시스템 및 모터 드라이브의 다양한 애플리케이션을 포괄합니다. 이 게이트 드라이버는 마이크로컨트롤러와 IGBT 또는 MOSFET 전원 스위치 사이의 인터페이스 역할을 합니다. 이 게이트 드라이버는 슛스루를 제어하면서 최적의 드라이브 특성을 제공합니다.

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Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 28 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 16mOhm 10Vgs 8.9A 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V60V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated MOSFET 30V N-Ch Enh FET 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 10K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V U-DFN2020-6 T&R 3K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K 비재고 리드 타임 24 주
최소: 10,000
배수: 10,000
: 10,000
Diodes Incorporated 선형 전압 레귤레이터 100V Input HV Linear 12V 40mA 0.27mA 38d 비재고 리드 타임 40 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Diodes Incorporated DGD21904MS14-13
Diodes Incorporated 게이트 드라이버 HV Gate Driver 비재고 리드 타임 12 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Diodes Incorporated DMTH6016LFVW-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 비재고 리드 타임 12 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Diodes Incorporated DMT3020LFVW-7
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V 비재고 리드 타임 24 주
최소: 1
배수: 1
: 2,000