BSN20BKR

Name: Nexperia BSN20BKR
Brand: Nexperia
SKU: 771-BSN20BKR
Price: 379 KRW
Availability: OutOfStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

771-BSN20BKR

제조업체 번호:

BSN20BKR

제조업체:

Nexperia

설명:

MOSFET SOT23 N-CH 60V .265A

데이터시트:

BSN20BKR 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Nexperia BSN20BKR에 대해 자세히 알아보십시오.

구매 가능 정보

재고:: 0

이 제품을 이월 주문으로 여전히 구매하실 수 있습니다.

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
주문 중:: 73,000

예상 2027-02-08
공장 리드 타임:: 10

주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

이 제품은 리드 타임이 깁니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩379.6	₩380
	₩224.8	₩2,248
	₩213.2	₩10,660
	₩140.2	₩14,020
	₩103.7	₩51,850
	₩90.5	₩90,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩74.5	₩223,500
	₩67.2	₩403,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Nexperia
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-23-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	60 V
Id - 연속 드레인 전류:	265 mA
Rds On - 드레인 소스 저항:	2.8 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	600 mV
Qg - 게이트 전하:	490 pC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	402 mW
채널 모드:	Enhancement
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Nexperia
구성:	Single
하강 시간:	5.1 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	8.4 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel Trench MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	12.5 ns
표준 턴-온 지연 시간:	7.9 ns
부품번호 별칭:	934068054215
단위 중량:	8 mg

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

KRHTS:: 8541299000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

BSN20 60V N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BSN20 60V N-channel trench MOSFET is a logic-level compatible, fast switching MOSFET. The BSN20 is suitable for high-frequency applications with logic-level gate drive sources. Based on Trench MOSFET technology, this device is ideal for use in computing, communications, consumer, and industrial applications.