탄화 규소 1200V MOSFET 및 다이오드

Wolfspeed SiC(탄화 규소) 1,200V MOSFET 및 다이오드는 까다로운 애플리케이션에서 높은 효율의 강력한 조합을 생성합니다. 이 MOSFET 및 쇼트키 다이오드는 고전력 애플리케이션에 사용하도록 설계되었습니다. 1 200 V SiC MOSFET은 안정적인 Rds(on) 과열 및 애벌랜치 견고성이 특징입니다. 이 MOSFET은 외부 다이오드가 필요하지 않으며 15V 게이트 드라이브를 제공하므로 더 쉽게 구동할 수 있는 견고한 바디 다이오드입니다. 1 200 V SiC MOSFET은 스위칭 및 전도 손실이 낮고 시스템 레벨 전력 밀도가 개선된 시스템 레벨 효율을 제공합니다.

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Wolfspeed SiC 쇼트키 다이오드 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
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SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220-2
Wolfspeed SiC 쇼트키 다이오드 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 5A
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1,910재고 상태
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SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-2 (TO-252-2)
Wolfspeed SiC 쇼트키 다이오드 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x10A
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397재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed SiC 쇼트키 다이오드 SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 2x15A
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489재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 350mohm,1200V, TO-263-7, Industrial
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155재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TO-263-7
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4 LP, Industrial
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880주문 중
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SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Wolfspeed SiC MOSFET 1.2kV 32mOHMS G3 SiC MOSFET
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894주문 중
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 16mohm, 1200V, TO-247-4, Automotive, Gen3
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재고 없음
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC
Wolfspeed SiC MOSFET SiC, MOSFET, 21mO, 1200V, TO-247-4, Automotive
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재고 없음
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC TO-247-4