20~40V N채널 자동차 MOSFET

Infineon Technologies 20~40V N채널 자동차 MOSFET는 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q101 인증을 받았으며, D-PAK, TOLL(HSOF-8), TOLG(HSG-8), SSO8(TDSON-8)을 비롯한 다양한 패키지 유형으로 제공됩니다. 이 MOSFET은 EPS 모터 제어, 3상 및 하프 브리지 모터, HVAC 팬 제어 및 PWM 제어와 함께 전기 펌프를 포함한 광범위한 애플리케이션을 처리합니다.

결과: 116
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V,40V) 1,128재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 45 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V,40V) 3,658재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 32.6 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2 313재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 160 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 137 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 221 nC - 55 C + 175 C 231 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T2 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 70 A 5.3 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 32 nC - 55 C + 175 C 58 W Enhancement AEC-Q100 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 비재고 리드 타임 9 주
최소: 7,000
배수: 7,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.4 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 80A I2PAK-3 OptiMOS-T2 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 80 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 66 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 120A TO220-3 OptiMOS-T2 비재고 리드 타임 9 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 120 A 1.88 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 134 nC - 55 C + 175 C 158 W Enhancement OptiMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 50 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T 비재고 리드 타임 9 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 40 V 90 A 4.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 46 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q100 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 10.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.2 V 26 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL_30/40V 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 2 Channel 40 V 20 A 8.2 mOhms - 16 V, 16 V 1.7 V 39 nC - 55 C + 175 C 54 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_)40V 60V) 비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 20 A 11.2 mOhms - 16 V, 16 V 2.2 V 41 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement AEC-Q101 OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 30/40V 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.1 mOhms - 16 V, 16 V 1.1 V 140 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-CHANNEL 30/40V 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 40 V 100 A 1.5 mOhms - 16 V, 16 V 1.6 V 95 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTO 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 40 V 270 A 2.3 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 240 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement AEC-Q100 Tube