CoolMOS™ 7 초접합 MOSFET

Infineon Technologies의 CoolMOS™ 7 초접합 MOSFET은 에너지 효율성, 전력 밀도 및 사용 편의성에 대한 새로운 표준을 설정합니다. CoolMOS 7 기술은 혁신적인 패키지 개념과 다양한 기술로 특정 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다. CoolMOS 7 MOSFET은 고출력 성능을 발휘하므로 전기차 충전소를 소형화하여 충전 속도를 가속시키는 애플리케이션에 이상적입니다. CoolMOS 7 덕분에 새로운 세대의 어댑터와 충전기는 작고 가볍고 더 효율적이 됩니다. 엔지니어는 CoolMOS 7을 사용해 보다 저렴하고 효율적인 재생 에너지 시스템을 만들 수 있습니다.

결과: 195
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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350예상 2026-06-11
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.4 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 10 nC - 50 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
227예상 2026-07-03
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 111 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 1.7 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 9 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 108 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 120 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 84 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,000예상 2026-06-23
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 13 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 30 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 500
배수: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 40 C + 150 C 103 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 62 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 40 C + 150 C 169 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 88 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
데이터시트
비재고 리드 타임 39 주
최소: 3,000
배수: 3,000
릴: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 500
배수: 500

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
비재고 리드 타임 15 주
최소: 240
배수: 240

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 54 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube