CoolMOS™CM8650 V전력 MOSFET

Infineon Technologies CoolMOS™ CM8 650V 파워 MOSFET는 슈퍼정션(SJ) 원리에 따라 설계되어 낮은 스위칭 손실과 전도 손실을 제공합니다. 이 MOSFET은 디바이스의 정류 견고성으로 인해 하드 및 소프트 스위칭 토폴로지에 적합합니다. CoolMOS™ CM8 650V MOSFET는 낮은 링잉 경향 덕분에 빠른 설계 적용이 가능하며, PFC 및 PWM 단계 전반에 걸쳐 사용할 수 있습니다. 이러한 MOSFET은 고급 다이 부착 기술을 통해 간소화된 열 관리를 가능하게 합니다. CoolMOS™CM8650 VMOSFET은 RoHS를 준수하며 산업용 애플리케이션에 대한 JEDEC 표준에 따라 완벽하게 인증되었습니다. 일반적인 애플리케이션으로는 LLC 공진 컨버터, AI 서버, 통신 전원 공급 장치 및 데이터 센터가 있습니다.

결과: 12
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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481재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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606재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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689재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
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1,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
1,711재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
1,851재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
266재고 상태
1,200주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
215재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
149재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
176재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
3,000주문 중
최소: 1
배수: 1
릴: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
데이터시트
469주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube