CGHV14800F

MACOM
941-CGHV14800F
CGHV14800F

제조업체:

설명:
GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

데이터시트:
ECAD 모델:
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MACOM
제품 카테고리: GaN FET
RoHS:  
Screw Mount
440117
N-Channel
150 V
24 A
- 3.8 V
- 40 C
+ 100 C
브랜드: MACOM
개발 키트: CGHV14800F-TB
이득: 14 dB
최대 작동 주파수: 1.4 GHz
최소 작동 주파수: 1.2 GHz
출력 전력: 800 W
포장: Tray
제품 유형: GaN FETs
팩토리 팩 수량: 10
하위 범주: Transistors
기술: GaN
트랜지스터 타입: GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압: - 10 V to 2 V
단위 중량: 71 g
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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
8541290100
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

Wolfspeed CGHV14800F 800W GaN(Gallium-Nitride) HEMT (고전자 이동도 트랜지스터)는 고효율, 고이득 및 넓은 대역폭 성능을 위해 특별히 설계되었습니다. CGHV14800F GaN HEMT는 항공관제(ATC) 레이더, 기상 레이더, 투과 레이더, 미사일 방어 시스템 레이더, 목표물 추적 레이더, 장거리 감시 레이더와 같은 1.2~1.4GHz L-대역 레이더 증폭기 애플리케이션에 이상적입니다. CGHV14800F GaN HEMT는 일반적으로 50V에서 작동하면서 대개 65% 이상의 드레인 효율을 제공합니다. 이 소자는 세라믹/금속 플랜지형 440117 패키지로 공급됩니다.

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