High Speed Trench & Fieldstop IGBTs

Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs use TrenchStop™ and Fieldstop technology to provide superb switching performance, very low VCEsat, and low EMI. Infineon High Speed Trench & Fieldstop IGBTs are ideal for uninterruptible power supplies applications. The IGW25N120H3 IGBT is recommended in combination with SiC Diode IDH15S120 and is also used for solar inverter applications. The IKW15N120H3, IKW30N60H3, and IKW20N60H3 IGBTs are each part of a high speed DuoPack and come with a very soft, fast recovery anti-parallel diode.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장

Infineon Technologies IGBT 600V 30A 187W 5,888재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 60 A 187 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 418재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies IGBT 600V 40A 306W 235재고 상태
240예상 2026-05-26
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 80 A 306 W - 40 C + 175 C HighSpeed 3 Tube

Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 51재고 상태
240예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.05 V - 20 V, 20 V 30 A 217 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT4 Tube

Infineon Technologies IGBT 600V 20A 170W 비재고 리드 타임 26 주
최소: 240
배수: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 40 A 170 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT3 Tube