SSM6K51xNU 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba SSM6K51xNU 실리콘 N-채널 MOSFET은 다양한 회로 구성 및 패키지로 제공되는 Toshiba의 광범위한 MOSFET 포트폴리오의 일부입니다. 이 장치는 고속, 고성능, 저손실, 낮은 온 저항, 소형 패키징 등이 특징입니다. SSM6K51xNU는 전력 관리 스위치에 이상적이며 고속 스위칭 기능을 갖추고 있습니다. 드레인 소스 온 저항이 낮은 1.5V 드라이브가 있습니다.

결과: 3
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A
데이터시트
5,276재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 46 mOhms - 12 V, 20 V 2.5 V 2.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET UDFN6B N-CH 30V 6A
데이터시트
3,702재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 30 V 6 A 39.1 mOhms - 8 V, 12 V 1 V 3.2 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Toshiba MOSFET 30V/20V Nch single MOSFET Id: 6A Rdson: 40mOhm @ 1.8V
데이터시트
4,165재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT UDFN-6B N-Channel 1 Channel 20 V 6 A 108 mOhms - 8 V, 8 V 1 V 3.6 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel