J-시리즈 실리콘 광전자(SiPM) 센서

onsemi J 시리즈 실리콘 광전자 증배기(SiPM) 센서는 ToF-PET(양전자 방출 단층 촬영 단층 촬영) 시간 측정과 같은 고성능 타이밍 애플리케이션에 맞게 최적화되었습니다. 증대된 마이크로셀 밀도 덕분에 J-시리즈 센서는 50%의 광자 검출 효율(PDE)을 달성할 수 있으며 감도는 UV로 확장됩니다. 이 센서는 50kHz/mm2의 업계 최저의 낮은 암 카운트 속도가 특징이며 대용량 CMOS 실리콘 프로세스를 사용하여 센서를 생성하므로 ±250mV의 탁월한 항복 전압 균일성을 제공합니다. J-시리즈 센서는 산업 표준 무연 리플로우 솔더링 공정과 호환되는 TSV 칩 스케일 패키지로 패키징 된 3mm, 4mm 및 6mm 크기로 제공됩니다. J-시리즈 센서는 또한 빠른 타이밍 기능을 위해 onsemi의 고유한 빠른 출력을 제공합니다.

결과: 6
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onsemi 포토다이오드 J-SERIES 3MM 35U TSV 27재고 상태
최소: 1
배수: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 1.9 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 포토다이오드 J-SERIES 3MM 35U TSV 1,341재고 상태
3,000예상 2026-02-17
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 1.9 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 포토다이오드 J-SERIES 6MM 35U TSV 232재고 상태
최소: 1
배수: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 7.5 uA 250 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 포토다이오드 J-SERIES 4MM 35U TSV 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 3 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 포토다이오드 J-SERIES 4MM 35U TSV 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 3 uA 110 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM
onsemi 포토다이오드 J-SERIES 6MM 35U TSV 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Photodiode Arrays SMD/SMT 420 nm 7.5 uA 250 ps - 40 C + 85 C J-Series SIPM