SIA429DJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

제조업체:

설명:
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

데이터시트:
ECAD 모델:
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추가 정보
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재고 상태: 3,270

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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:
포장:
전체 릴(3000의 배수로 주문)

가격 (KRW)

수량 단가
합계
컷 테이프/MouseReel™ †
₩1,299.4 ₩1,299
₩803 ₩8,030
₩521.2 ₩52,120
₩400 ₩200,000
₩360.6 ₩360,600
전체 릴(3000의 배수로 주문)
₩297.8 ₩893,400
₩284.7 ₩1,708,200
₩251.1 ₩2,259,900
₩245.3 ₩5,887,200
† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

제품 속성 속성 값 속성 선택
Vishay
제품 카테고리: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
20.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3.5 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
브랜드: Vishay Semiconductors
구성: Single
제품 유형: MOSFETs
시리즈: SIA
팩토리 팩 수량: 3000
하위 범주: Transistors
부품번호 별칭: SIA429DJT-GE3
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

KRHTS:
8541219000
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.

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