RGS30TSX2DHR & RGS30TSX2HR AEC-Q101 IGBT

ROHM Semiconductor RG30TSX2DHR 및 RG30TSX2HR AEC-Q101 필드 스톱 트렌치 IGBT는 자동차 및 산업용 애플리케이션의 일반 인버터에 적합한 10µs SCSOA(단락 안전 작동 영역) 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터입니다. RGS30TSX2DHR 및 RGS30TSX2HR은 전도 손실이 낮아 크기 감소와 효율 개선에 기여합니다. 이 장치는 고유의 트렌치 게이트 및 박막 웨이퍼 기술을 사용합니다. 이러한 기술은 낮은 컬렉터-이미터 포화 전압(VCE(sat))을 달성하고 스위칭 손실을 줄이는데 도움이 됩니다. 이러한 IGBT는 다양한 고전압 및 고전류 애플리케이션에서 에너지 절감 효과를 높입니다.

결과: 2
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
ROHM Semiconductor IGBT TO247 1200V 15A TRNCH 871재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 10s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Automotive Field Stop Trench IGBT 112재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247N-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V 30 V 30 A 267 W - 40 C + 175 C Tube