UCC27212/UCC27212-Q1 하이 측 및 로우 측 드라이버

Texas Instruments UCC27212/UCC27212-Q1 고주 파 하이 측 및 로우 측 드라이버는 5V까지 확장된 작동 범위를 제공하므로 전력 손실을 줄일 수 있습니다. 피크 출력 풀업 및 풀다운 전류는 4A 소스 및 4A 싱크이며 풀업 및 풀다운 저항은 0.9Ω입니다. 이러한 특징 덕분에 MOSFET의 Miller Plateau를 통해 전환하는 동안 스위칭 손실을 최소화한 상태에서 대용량 전력 MOSFET를 구동할 수 있습니다. 입력 구조는 –10V를 직접 처리하여 견고성을 향상시킬수 있으며 또한 직접 인터페이스를 실현하여 정류 다이오드를 사용하지 않고 변압기를 게이트 구동(gate-drive)할 수 있습니다. 이 입력 장치도 공급전압으로부터 독립되어 최대 정격은 20V입니다. UCC27212/UCC27212-Q1(HS 핀)의 스위칭 노드는 최대 -18V를 처리할 수 있으므로 기생 인덕턴스 및 부유 정전용량으로 인한 고유 네거티브 전압으로부터 하이 측 채널을 보호할 수 있습니다. UCC27212/UCC27212-Q1은 히스테리시스를 증가시켜 아날로그 또는 디지털 PWM 컨트롤러의 잡음 내성을 개선할 수 있습니다.UCC27212-Q1 장치는 자동차 애플리케이션에 대한 AEC-Q100 인증을 받았습니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 타입 장착 스타일 패키지/케이스 드라이버 수 출력 수 출력 전류 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 구성 상승 시간 하강 시간 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Texas Instruments 게이트 드라이버 4-A 120-V half brid ge gate driver with 2,497재고 상태
최소: 1
배수: 1

Half-Bridge Driver High-Side, Low-Side SMD/SMT SOIC-8 2 Driver 2 Output 3.7 A, 4.5 A 7 V 17 V Non-Inverting 7.2 ns 5.5 ns - 40 C + 150 C
Texas Instruments 게이트 드라이버 4-A 120-V half brid ge gate driver with A 595-UCC27212DPRT 1,175재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

MOSFET Gate Drivers High-Side, Low-Side SMD/SMT WSON-10 2 Driver 2 Output 4 A 7 V 17 V 7.2 ns 5.5 ns - 40 C + 140 C UCC27212 Reel, Cut Tape, MouseReel