R60/R65 N-채널 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N채널 전력 MOSFET은 TO-220FM-3 패키지로 600V 또는 650V 드레인-소스 전압의 단일 채널 출력을 제공합니다. R60/R65 MOSFET는 -55°C~150°C/155°C의 작동 온도 범위와 7.8W, 6.6W, 12.3W, 9.1W, 40W, 46W, 48W, 53W, 68W, 74W 또는 86W의 전력 손실 옵션을 제공합니다. R60/R65 N-채널 전력 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 56
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 24A N-CH MOSFET
데이터시트
1,992재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
데이터시트
4,996재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
데이터시트
1,970재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET
데이터시트
3,689재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 155 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 11A N-CH MOSFET
데이터시트
1,933재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 30 V, - 20 V, 20 V, 30 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 24A N-CH MOSFET
데이터시트
1,995재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
데이터시트
4,919재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
데이터시트
1,932재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
데이터시트
6,712재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
데이터시트
7,443재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
7,142재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
7,655재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
데이터시트
2,403재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
데이터시트
4,936재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
데이터시트
1,869재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
데이터시트
1,951재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
데이터시트
996재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
데이터시트
989재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
데이터시트
778재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 258A N-CH MOSFET
데이터시트
487재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 258 A 44 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 110 nC - 55 C + 150 C 781 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
데이터시트
3,457재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
2,356재고 상태
4,000예상 2026-11-23
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
데이터시트
965재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
데이터시트
996재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 60A N-CH MOSFET
데이터시트
366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube