QspiNAND Flash Memory

Winbond QspiNAND Flash Memory is high-performance, low-power memory built with Single-Level Cell (SLC) memory technology and implementing 1-bit Error Correction Code (ECC) on all read and write operations. The integrated ECC detects and corrects errors and enables contiguous good memory (bad block management). This feature offloads these functions from an external controller. The QspiNAND Flash Memory also supports Executive-in-Place (XiP) functionality, in which an SoC or processor executes application code directly from the external flash memory without shadowing it to DRAM.

결과: 5
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Winbond NAND 플래시 1G-bit Serial NAND flash, 3V 432재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SMD/SMT TFBGA-24 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray
Winbond NAND 플래시 512Mb Serial NAND flash, 3V 3,186재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube

Winbond NAND 플래시 1G-bit Serial NAND flash, 3V 1,126재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND 플래시 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V 81재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond NAND 플래시 2G-bit Serial NAND flash, 1.8V 3재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N02JW 2 Gbit SPI 256 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube