DMTH601xLPSQ N채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V Diodes Inc. DMTH601xLPSQ 60V채널 강화 모드 MOSFET는 자동차 애플리케이션의 엄격한 요구조건을 충족하도록 설계되었습니다. DMTH601xLPSQ MOSFET는 PPAP(Production Part Approval Process)의 지원을 통해 AEC-Q101 인증을 받았으며 엔진 관리 시스템, 차체 제어 전자 장치 및 DC-DC 컨버터에 적합합니다. DMTH601xLPSQ MOSFET는 낮은 RDS(ON), 낮은 입력 정전용량 및 빠른 스위칭 속도를 제공합니다. Diodes Incorporated의 고유한 PowerDI®5060 패키지로 제공되는 DMTH601xLPSQ MOSFET는 정격 온도가 +175ºC이며 1.1mm 미만의 오프 보드 높이가 특징입니다. 이러한 특징 덕분에 DMTH601xLPSQ MOSFET는 고온 환경 및 로우 프로파일 애플리케이션에 매우 적합합니다.

결과: 2
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 포장
Diodes Incorporated MOSFET 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A 2,729재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 13.5 A 6.4 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 41.3 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V 6,919재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT PowerDI5060-8 N-Channel 1 Channel 60 V 37 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 17 nC - 55 C + 175 C 37.5 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel