전력 MOSFET

YAGEO XSemi 전력 MOSFET은 낮은 온 저항, 효율성 및 비용 효율성을 위해 첨단 공정 기술을 사용합니다.  YAGEO XSemi 전력 MOSFET은 애플리케이션 요구사항에 맞게 다양 한 패키지로 제공됩니다. 이 장치에 사용 가능한 패키지는 상업용 및 산업용 애플리케이션에 널리 사용됩니다.

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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S 2,868재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S 2,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 20V 0.2A SOT-723
10,000예상 2026-03-18
최소: 1
배수: 1
: 10,000

Si SMD/SMT SOT-723-3 N-Channel 1 Channel 20 V 200 mA 1.2 Ohms - 8 V, 8 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 150 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
6,000예상 2026-03-03
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PMPAK-8 N-Channel, P-Channel 2 Channel 30 V 11 A, 7.3 A 18 mOhms, 45 mOhms - 20 V, 20 V 2.4 V, 2 V 5.2 nC, 6 nC - 55 C + 150 C 3.57 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel