전력 MOSFET

YAGEO XSemi 전력 MOSFET은 낮은 온 저항, 효율성 및 비용 효율성을 위해 첨단 공정 기술을 사용합니다.  YAGEO XSemi 전력 MOSFET은 애플리케이션 요구사항에 맞게 다양 한 패키지로 제공됩니다. 이 장치에 사용 가능한 패키지는 상업용 및 산업용 애플리케이션에 널리 사용됩니다.

결과: 79
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 60V 2.5A SOT-23S
데이터시트
1,664재고 상태
6,000예상 2027-02-16
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 N-Channel 1 Channel 60 V 2.5 A 90 mOhms 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -60V -1. 6A SOT-23S
데이터시트
519재고 상태
6,000예상 2026-11-16
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 250 mOhms 20 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
YAGEO XSemi MOSFET N-CH 100V 48. 5A TO-251
데이터시트
4,000예상 2026-12-28
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 100 V 48.5 A 11 mOhms 20 V 4 V 35 nC - 55 C + 150 C 1.13 W Enhancement Tube
YAGEO XSemi MOSFET P-CH -30V -3. 9A SOT-23S
데이터시트
2,955예상 2026-10-27
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-23S-3 P-Channel 1 Channel 30 V 3.9 A 55 mOhms 20 V 3 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 1.25 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel