BC846B-Q

Name: Diotec Semiconductor BC846B-Q
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-BC846B-Q
Price: 146 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

637-BC846B-Q

제조업체 번호:

BC846B-Q

제조업체:

Diotec Semiconductor

설명:

양극성 트랜지스터 - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, NPN, 0.25W, 150C

라이프사이클:

신제품:

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데이터시트:

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ECAD 모델:

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단가:

₩-

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₩-

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩146	₩146
	₩90.5	₩905
	₩75.9	₩7,590
	₩59.9	₩29,950
	₩52.6	₩52,600
	₩39.4	₩98,500
10,000	견적

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Diotec Semiconductor
제품 카테고리:	양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-23-3
트랜지스터 극성:	NPN
구성:	Single
최대 DC 콜렉터 전류:	100 mA
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	65 V
콜렉터-베이스 전압 VCBO:	80 V
이미터-베이스 전압 VEBO:	6 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	200 mV
Pd - 전력 발산:	250 mW
게인 대역폭 제품 fT:	300 MHz
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
포장:	Reel
브랜드:	Diotec Semiconductor
연속 콜렉터 전류:	100 mA
최대 DC 전류 이득 hFE :	800 V
제품 유형:	BJTs - Bipolar Transistors
하위 범주:	Transistors

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문서 필터:

데이터시트

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USHTS:: 8541290095
TARIC:: 8541210000
ECCN:: EAR99

BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor

Diotec Semiconductor BC846B-Q SMD General-Purpose NPN Transistor features three current gain groups in a SOT-23 package and complies with RoHS and REACH. This transistor operates at 65V collector-emitter voltage, 80V collector-base voltage, 6V emitter-base voltage, and 200mA peak collector current. The BC846B-Q NPN transistor utilizes bond wires for commercial grades and AU bond wires for all other grades. The commercial-grade transistor features 200mW commercial-grade power dissipation with <625K/W thermal resistance junction to ambient. The industrial-grade transistor features 250mW commercial-grade power dissipation with <420K/W thermal resistance junction to ambient. The BC846B-Q NPN transistor is housed in a UL 94V-0 case material and available in a small SOT-363 Surface-Mount Device (SMD) package. This NPN transistor is ideal for signal processing, switching, amplification, and commercial and industrial-grade use.