LPDDR4 메모리 장치

Micron LPDDR4 메모리 장치는 배터리 작동식 애플리케이션에서 소비전력 문제를 해결하도록 최적화되었습니다. 이 메모리 장치는 DDR4에 비해 33% 더 빠른 피크 대역폭을 제공합니다. LPDDR4 메모리 장치는 표준 DRAM에 비해 대기 모드에서 5배 낮은 소비전력을 제공합니다. 이 메모리 장치는 PCB 공간을 절약하는 MCP(멀티 칩 패키지) 및 PoP(패키지 온 패키지) 설계가 특징입니다. LPDDR4 메모리 장치는 x16, x32 및 x64 구성을 최적화하고 특정 애플리케이션에 BOM 절감 효과를 제공합니다. LPDDR4 메모리 장치는 성능, 전력, 레이턴시 및 물리적 공간을 결합하여 에너지 효율적으로 작동합니다. 이 LPDDR4 메모리 장치는 핸드셋, 배터리 작동식 애플리케이션, 울트라 휴대용 기기에 적합합니다.

결과: 6
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수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 AT
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1,039재고 상태
4,160예상 2026-11-16
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SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 WFBGA 1 WT
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385재고 상태
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SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 512 M x 32 1.06 V 1.95 V - 30 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 32Gbit 32 200/264 WFBGA 2 WT
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75재고 상태
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SDRAM Mobile - LPDDR4 32 Gbit 32 bit 2.133 GHz WFBGA-200 1 G x 32 1.06 V 1.95 V - 25 C + 85 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 16G 512MX32 FBGA
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1,642재고 상태
MouseReel 사용가능
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: 2,000

SDRAM - LPDDR4 TFBGA-200 Reel, Cut Tape, MouseReel
Micron MT53E2G32D4DE-046 AAT:C
Micron DRAM LPDDR4 64Gbit 32 200/264 TFBGA 4 AT
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756재고 상태
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SDRAM Mobile - LPDDR4 64 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 2 G x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 105 C Tray
Micron DRAM LPDDR4 16Gbit 32 200/264 TFBGA 1 IT
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5재고 상태
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배수: 1
최대: 100

SDRAM Mobile - LPDDR4 16 Gbit 32 bit 2.133 GHz TFBGA-200 512 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C 140S Tray