CGHV35400F1

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Mouser 번호:

941-CGHV35400F1

제조업체 번호:

CGHV35400F1

제조업체:

MACOM

설명:

GaN FET Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

데이터시트:

CGHV35400F1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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추가 정보

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배송 알림:

현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	MACOM
제품 카테고리:	GaN FET
배송 제한사항:	현재 Mouser는 귀하의 거주 지역에서는 이 제품을 판매하지 않습니다.
RoHS:
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	440225
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	125 V
Id - 연속 드레인 전류:	24 A
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3 V
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 125 C
브랜드:	MACOM
이득:	11 dB
최대 작동 주파수:	3.5 GHz
최소 작동 주파수:	2.9 GHz
출력 전력:	400 W
포장:	Tray
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	10
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	GaN HEMT
Vgs - 게이트 소스 항복 전압:	- 10 V, 2 V

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

CGHV35400F1 데이터시트 (PDF)

PCN

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규정 준수 코드

KRHTS:: 8541299000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

원산지 분류

COO(원산지):: 미국
어셈블리 원산지:: 불가능
COD(확산 공정 국가):: 불가능

배송 시 국가는 변경될 수 있습니다.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O 정합 GaN HEMT

Wolfspeed CGHV35400F 400W 2.9~3.5GHz, S-대역 레이더 증폭기 애플리케이션을 위한 50Ω I/O 정합 GaN HEMT는 고효율, 고이득 및 광대역 성능을 제공합니다. CGHV35400F 트랜지스터는 입력에서 50Ω으로 정합되고 출력에서는 50Ω으로 정합됩니다.