LPDDR4 및 LPDDR4X 모바일 SDRAM

ISSI LPDDR4 및 LPDDR4X SDRAM은 2Gb, 4Gb, 8Gb 밀도로 제공되는 저전압 메모리 장치입니다. 이러한 장치의 저전압 코어 및 I / O 전력 요구 사항은 모바일 애플리케이션에 이상적입니다. LPDDR4 및 LPDDR4X SDRAM은 10MHz~1600MHz의 클록 주파수 범위와 I/O 당 최대 3200Mbps의 데이터 속도를 제공합니다. 이러한 장치는 동시 작동을 위해 채널당 8 개의 내부 뱅크로 구성됩니다. LPDDR4 및 LPDDR4X는 모두 프로그래밍 가능 및 "온더플라이" 버스트 길이에서 프로그래밍 가능한 읽기 및 쓰기 대기 시간을 제공합니다.

결과: 14
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 타입
메모리 크기
데이터 버스 너비
최대 클록 주파수
패키지/케이스
조직
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
ISSI DRAM 2G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 128Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
44재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

SDRAM - LPDDR4 2 Gbit 16 bit 1.6 GHz 128 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
데이터시트
348재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 137

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
264재고 상태
136예상 2026-04-17
최소: 1
배수: 1
최대: 165

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS
데이터시트
86재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 3

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 16 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
5재고 상태
136예상 2026-10-13
최소: 1
배수: 1
최대: 1

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz FBGA-200 256 M x 32 3.5 ns 1.06 V 1.17 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 32Gb 1.06-1.17/1.70-1.95V LPDDR4 1Gx32 2133MHz 200 ball BGA (10mmx14.5mm)
데이터시트
536주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 2

SDRAM - LPDDR4 32 Gb 32 bit 2.133 GHz BGA-200 1 Gb x 32 1.7 V 1.95 V Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
952주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 143

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 32 bit 1.6 GHz 256 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
1,074주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 437

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.2mm max thickness) RoHS
데이터시트
816주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 291

SDRAM - LPDDR4 8 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 16 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
126예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
최대: 42

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 95 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
135예상 2026-02-18
최소: 1
배수: 1
최대: 50

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 2.133 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
272예상 2026-02-27
최소: 1
배수: 1
최대: 93

SDRAM - LPDDR4 16 Gbit 1.866 GHz BGA-299 512 M x 32 3.5 ns 1.7 V 1.95 V - 40 C + 105 C LPDDR4 Tray
ISSI DRAM SUGGESTED ALTERNATE IS43LQ32128A-062TBLI
데이터시트
비재고 리드 타임 52 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 32 bit 1.6 GHz 128 M x 32 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C
ISSI DRAM 4G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx16, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
데이터시트
비재고 리드 타임 38 주
최소: 136
배수: 136

SDRAM - LPDDR4 4 Gbit 16 bit 1.6 GHz 256 M x 16 1.06 V 1.95 V - 40 C + 95 C