Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

결과: 62
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel