Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

결과: 62
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
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497재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
401재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
데이터시트
163재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 500 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
데이터시트
373재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
데이터시트
369재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
318재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
데이터시트
163재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 170 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
데이터시트
500재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 11A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
1,000재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
365재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 900 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 10.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Recover
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 936 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 15.5 nC - 55 C + 150 C 43 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 570 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Bulk
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 124 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
릴: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 340 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 500
배수: 500
릴: 500

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 260 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 30A TO-220FM Pwr MOSFET
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 47A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 47 A 72 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 100 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 50A 3rd Gen, Fast Recover
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 83 mOhms - 30 V, 30 V 7 V 120 nC - 55 C + 150 C 615 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 76A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 76 A 42 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 165 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Low Noise
데이터시트
비재고 리드 타임 18 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel