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FRDMGD3160HB8EVM

Name: NXP FRDMGD3160HB8EVM
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-FRDMGD3160HB8EVM
Price: 812563 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

771-FRDMGD3160HB8EVM

제조업체 번호:

FRDMGD3160HB8EVM

제조업체:

NXP Semiconductors

설명:

전원 관리 IC 개발 도구 Half-Bridge Evaluation Board for P6 IGBT/SiC Modules

데이터시트:

FRDMGD3160HB8EVM 데이터시트 (PDF)

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	NXP
제품 카테고리:	전원 관리 IC 개발 도구
RoHS:	N
제품:	Evaluation Boards
타입:	Gate Driver
입력 전압:	25 V
도구는 다음 평가를 위한 것임::	GD3160
시리즈:	GD3160
브랜드:	NXP Semiconductors
제품 유형:	Power Management IC Development Tools
팩토리 팩 수량:	1
하위 범주:	Development Tools
부품번호 별칭:	935437116598

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문서 필터:

데이터시트

FRDMGD3160HB8EVM 데이터시트 (PDF)

USHTS:: 8471500150
TARIC:: 8473302000
ECCN:: EAR99

FRDM Development Boards

NXP Semiconductors FRDM Development Boards include low-cost, compact MCU and MPU boards with an easy development journey and an extensive ecosystem to simplify user designs. The FRDM ecosystem includes comprehensive software/tools, modular hardware, and access to solution-driven examples.

FRDMGD3160HB8EVM 평가 키트

NXP Semiconductors FRDMGD3160HB8EVM 평가 키트는 GD3160 단일 채널 게이트 드라이버용 데모 및 개발 플랫폼입니다. GD3160 게이트 드라이버는 xEV 트랙션 인버터, OBC 및 DC-DC 변환기용 SiC 및 IGBT 모듈을 구동하도록 설계되었습니다. GD3160은 통합 갈바닉 절연, SPI를 통한 프로그래밍 가능 인터페이스 및 과열, 불포화 및 전류 감지 보호와 같은 고급 프로그래밍 가능 보호 옵션을 갖추고 있습니다.GD3160 게이트 드라이버는 고성능 스위칭, 낮은 동적 온 상태 저항 및 레일-레일 게이트 전압 제어를 활용하여 SiC MOSFET 및 IGBT 게이트를 직접 구동할 수 있습니다.