UMOS9-H 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba UMOS9-H 실리콘 N-채널 MOSFET은 고효율 DC-DC 컨버터, 스위칭 전압 레귤레이터 및  모터 드라이버에 이상적입니다. 이 MOSFET은 작은 게이트 전하, 작은 출력 전하, 낮은 드레인-소스 온 저항 및 낮은 누설 전류를 자랑합니다. UMOS9-H N-채널 MOSFET은 80V 드레인-소스 전압, ±20V 게이트-소스 전압 및 175°C 채널 온도가 특징입니다. 이 MOSFET은 또한 ±0.1µA 게이트 누설 전류, 10µA 드레인 차단 전류,  -55°C~175°C의 보관 온도 범위가 특징입니다. UMOS9-H N-채널 MOSFET은 RoHS 규격을 준수하며 0.108g 2-5W1A(SOP Advance(N)) 패키지로 제공됩니다.

결과: 6
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 3mohm 10,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 71 nC + 175 C 180 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 6mohm 4,155재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 107 A 6 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 38 nC + 175 C 135 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 80V UMOS9-H SOP-Advance(N) 8.8mohm 4,710재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 60 V, 80 V 79 A 8.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 26 nC + 175 C 109 W Enhancement Reel
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 1.1 mohm 4,833재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 120 A 1.96 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 55 nC + 175 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET SOP8 N-CH 40V 150A 5,977재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 40 V 240 A 1.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 62 nC - 55 C + 175 C 132 W Enhancement U-MOSIX-H Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET 40V UMOS9-H SOP Advance(WF) 0.79mohm
5,000예상 2026-02-16
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 40 V 150 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 85 nC + 175 C 170 W Enhancement Reel, Cut Tape