DMTH4M70SPGWQ N-채널 강화 모드 MOSFET

Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ N-채널 강화 모드 MOSFET은 10V의 게이트 드라이브에서 0.54mΩ의 일반적인 RDS(ON)와 117nC의 게이트 전하가 특징인 40V 자동차 규격 준수 MOSFET입니다. DMTH4M70SPGWQ는 PowerDI®8080-5 혁신적인 고전류, 열 효율 전력 패키지로 제공되며, EV(전기차) 애플리케이션에 이상적입니다. AEC-Q101 인증 Diodes Incorporated DMTH4M70SPGWQ MOSFET은 자동차 고전력 BLDC 모터 드라이브, DC-DC 변환기 및 충전 시스템의 설계자가 전력 손실을 최소한으로 유지하면서 시스템 효율을 극대화할 수 있도록 합니다. 이 장치는 최대 +175°C의 작동 온도를 제공합니다.

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 제조업체
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수량 RoHS


Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K
데이터시트
1,116재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH4M40SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K 4,000구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH81M2SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI8080-5 T&R 2K 6,000구매 가능한 공장 재고품
추가 정보 있음
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH4M72SPGWQ-13
Diodes Incorporated Diodes Inc. MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI8080-5 T&R 2K 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH6M70SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI8080-5 T&R 2K 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

Diodes Incorporated DMTH10H1M7SPGWQ-13
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI8080-5 T&R 2K 비재고 리드 타임 16 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000