MMBT3906T RSG

Name: Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-MMBT3906TRSG
Price: 310 KRW
Availability: InStock

이미지는 참조용으로만 사용하십시오
제품 사양을 참조하세요

Mouser 번호:

821-MMBT3906TRSG

제조업체 번호:

MMBT3906T RSG

제조업체:

Taiwan Semiconductor

설명:

양극성 트랜지스터 - BJT -40, -0.2, NPN Bipolar Transistor

데이터시트:

MMBT3906T RSG 데이터시트

ECAD 모델:

무료 라이브러리 로더를 다운로드하여 이 파일을 ECAD 도구용으로 변환하십시오. ECAD 모델에 대해 자세히 알아보기

추가 정보

Taiwan Semiconductor MMBT3906T RSG에 대해 자세히 알아보십시오.

재고 상태: 5,930

재고:: 5,930 즉시 배송 가능

예기치 않은 오류가 발생했습니다. 나중에 다시 시도하십시오.
공장 리드 타임:: 18 주 표시된 것보다 많은 수량에 대한 추정 공장 생산 시간입니다.

수량 입력:

최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩310.8	₩311
	₩186.5	₩1,865
	₩116.9	₩11,690
	₩85.8	₩42,900
	₩75.5	₩75,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩60.7	₩182,100
	₩54.8	₩328,800
	₩44.4	₩399,600
	₩42.9	₩1,029,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Taiwan Semiconductor
제품 카테고리:	양극성 트랜지스터 - BJT
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	SOT-523-3
트랜지스터 극성:	PNP
구성:	Single
최대 DC 콜렉터 전류:	200 mA
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO:	40 V
콜렉터-베이스 전압 VCBO:	40 V
이미터-베이스 전압 VEBO:	5 V
콜렉터-이미터 포화 전압:	400 mV
Pd - 전력 발산:	150 mW
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Taiwan Semiconductor
연속 콜렉터 전류:	200 mA
DC 컬렉터/베이스 게인 hfe Min:	30
최대 DC 전류 이득 hFE :	300
제품 유형:	BJTs - Bipolar Transistors
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors

제품을 찾음:

유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

이 카테고리에 유사 제품을 표시하려면 확인란을 하나 이상 선택하십시오.

속성 선택됨: 0

문서 필터:

KRHTS:: 8541219000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

MMBT3906T PNP Bipolar Transistor

Taiwan Semiconductor MMBT3906T PNP Bipolar Transistor is an epitaxial planar type transistor with improved electrical conductivity. This transistor is designed with -40V of collector-to-base voltage (V_CBO), -40V of collector-to-emitter voltage (V_CEO), and -5V of emitter-to-base voltage (V_EBO). The MMBT3906T PNP transistor features a collector current of -200mA and power dissipation (P_D) of 150mW. This transistor is halogen-free according to IEC 61249-2-21 standards and RoHS compliant. Some of the applications include consumer electronics, low-frequency amplifiers, and drivers.