NTBGSxDxN15MC 및 NVBGSxDxN15MC N-채널 MOSFET

Onsemi NTBGSxDxN15MC 및 NVBGSxDxN15MC N-채널 MOSFET은 150 V 드레인-소스 전압(V(BR)DSS) 및 낮은 스위칭 잡음/EMI가 특징입니다. 이 장치는 드라이버 손실 최소화를 위한 낮은 QG 및 정전용량과 전도 손실 최소화를 위한 낮은 RDS(on) 를 제공합니다. NTBGSxDxN15MC 및 NVBGSxDxN15MC MOSFET은 무연, 무할로겐/무BFR, RoHS 규격을 준수하는 D2PAK7 패키지로 제공됩니다. 일반적으로 전동 공구, 배터리 작동식 진공 청소기, UAV(무인 항공기)/드론, 자재 취급, BMS(배터리 관리 시스템)/보관, 홈 자동화, 산업 지게차 및 트랙션 제어 시스템에 사용됩니다.

결과: 2
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 6.5 mohm, A, Single N-Channel, D2PAK7
데이터시트
1,229재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 121 A 7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 57 nC - 55 C + 175 C 238 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi MOSFET Power MOSFET, 150 V, 4.1 mohm, 185A, Single N-Channel, D2PAK7
데이터시트
1,441재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si SMD/SMT D2PAK-7 N-Channel 1 Channel 150 V 185 A 4.1 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 88.9 nC - 55 C + 175 C 316 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel