IS62WVS Serial SRAMs

ISSI IS62WVS Serial SRAMs are fabricated using high-performance CMOS technology to provide a 4µA standby current. These SRAMs are 512K, 1M, or 2M bit-serial static RAMs organized as 64K, 128K, or 256K bytes respectively by 8 bits. The I62WVS serial SRAMs offer a 20MHz clock rate, Serial Peripheral Interface (SPI) compatible bus interface, and support unlimited reads and writes to the memory array. The additional interfaces supported are Serial Dual Interface (SDI) and Serial Quad Interface (SQI) for the faster data rate requirements. These SRAMs operate within the -40°C to +85°C temperature range and are available in a lead-free 8-pin SOIC package. Typical applications include industrial IoT, advanced driver assistance systems, and the medical industry.

결과: 10
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기 조직 액세스 시간 최대 클록 주파수 인터페이스 타입 공급 전압 - 최대 공급 전압 - 최소 공급 전류 - 최대 최저 작동온도 최고 작동온도 장착 스타일 패키지/케이스 포장
ISSI SRAM 2Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS 3,074재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2 Mbit 256 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 45MHz 2.2-3.6V Serial SRAM 4,415재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

2 Mbit 256 k x 8 15 ns 45 MHz Serial 3.6 V 2.2 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 20MHz Serial SRAM IT 1,525재고 상태
3,000예상 2026-11-16
최소: 1
배수: 1
: 3,000

4 Mbit 512 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI SRAM 4Mb 512Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM 300재고 상태
3,200주문 중
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 512 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 16 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM 2,226재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 2Mb 256Kx8 45MHz 2.2-3.6V Serial SRAM 111재고 상태
최소: 1
배수: 1

2 Mbit 256 k x 8 15 ns 45 MHz Serial 3.6 V 2.2 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 512Kb 64Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM 52재고 상태
최소: 1
배수: 1

512 kbit 64 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 1Mb 128Kx8 20MHz 2.2-3.6V Serial SRAM 27재고 상태
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 128 k x 8 25 ns 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8
ISSI SRAM 1Mb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150mil, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

1 Mbit 128 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel
ISSI SRAM 512Kb, Serial SRAM, 2.2V-3.6V, 20MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS 비재고 리드 타임 16 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

512 kbit 64 k x 8 20 MHz SDI, SPI, SQI 3.6 V 2.2 V 8 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel