EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC

Infineon EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC는 MOSFET, IGBT, SiC MOSFET 및 GaN HEMT 장치용으로 설계되었습니다. EiceDRIVERTM™ 게이트 드라이버는 0.1A에서 최대 10A까지 광범위한 일반 출력 전류 옵션을 제공합니다. 이 장치는 DESAT(빠른 단락 보호), 능동 밀러 클램프, 슛스루 보호, 결함, 셧다운 및 과전류 보호와 같은 강력한 게이트 드라이브 보호 기능을 갖추고 있습니다. 이러한 특징 덕분에 이 드라이버 IC는 CoolGaN™ 및 CoolSiC™ 를 포함한 실리콘 및 와이드 밴드갭 전원 장치 모두에 매우 적합합니다. 이것이 바로 Infineon이 모든 전원 스위치와 모든 애플리케이션에 적합한 500개 이상의 EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 솔루션을 제공하는 이유입니다.

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결과: 389
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Infineon Technologies 게이트 드라이버 IFX POWERSTAGE/DRIVER
3,861예상 2026-05-07
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 HALF BRDG DRVR 600V 120mA 540ns
2,432예상 2026-04-23
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT
4,733예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 Cur Sens 1Ch Drvr 600V Gt Drv 12-20V
7,500예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Infineon Technologies 2EDL8124GXUMA1
Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER
11,998주문 중
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 Hlf Brdg Drvr Fixed 650ns Deadtime
2,481예상 2026-03-12
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 HVGD_TRACT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 HVGD_TRACT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 HVGD_TRACT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT JUNCTION ISO 비재고 리드 타임 22 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER 비재고 리드 타임 52 주
최소: 1
배수: 1
: 4,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 600V high & low-side 0.7A,integrated BSD 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 600V half-bridge 0.7A,integrated BSD 비재고 리드 타임 24 주
최소: 2,500
배수: 2,500
: 2,500

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1
: 6,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LOW SIDE DRIVERS 비재고 리드 타임 39 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER 비재고 리드 타임 39 주
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER 비재고 리드 타임 29 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 LEVEL SHIFT DRIVER 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 HIGH SIDE SWITCH 비재고 리드 타임 26 주
최소: 800
배수: 800
: 800

Infineon Technologies 게이트 드라이버 IFX POWERSTAGE/DRIVER 비재고 리드 타임 30 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Infineon Technologies 게이트 드라이버 IFX POWERSTAGE/DRIVER 비재고 리드 타임 30 주
최소: 1
배수: 1
: 5,000


Infineon Technologies 게이트 드라이버 1 HI SIDE DRVR INVERTING INPUT 비재고 리드 타임 20 주
최소: 18,000
배수: 18,000