OptiMOS™5 선형 FET2MOSFET

Infineon Technologies OptiMOS™5 선형 FET 2MOSFET은 핫스왑 및 E-퓨즈 애플리케이션에 최적화되어 매우 낮은 온 저항 RDS(on)와 넓은 안전 작동 영역(SOA)으로 탁월한 성능을 제공합니다. 이 N채널, 일반 레벨 MOSFET은100% 애벌런치 테스트를 거쳐 안정성을 검증받았으며 무연 납 도금을 사용하여 RoHS 규정을 준수합니다. 또한 MOSFET은 IEC61249-2-21표준에 따라 무할로겐이므로 까다로운 애플리케이션에 적합한 친환경 제품입니다.

결과: 3
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 5,674재고 상태
2,000예상 2026-03-02
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 321 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 165 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,699재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 243 A 2.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.9 V 115 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 5 single N-channel Linear FET 2 100 V, 176 A in 8 mm x 8 mm footprint
12,730주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 100 V 284 A 1.7 mOhms 20 V 3.45 V 142 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel