AFBR-S4N22P014M

Broadcom / Avago
630-AFBR-S4N22P014M
AFBR-S4N22P014M

제조업체:

설명:
포토다이오드 SiPM PCB 1x1 2mm 40um NUV-MT

ECAD 모델:
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단가:
₩-
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수량 단가
합계
₩28,718.2 ₩28,718
₩22,936.6 ₩229,366
₩22,148.2 ₩2,214,820
₩19,637 ₩7,854,800

제품 속성 속성 값 속성 선택
Broadcom Limited
제품 카테고리: 포토다이오드
RoHS:  
Photodiode Arrays
SMD/SMT
420 nm
980 nA
55 ns
- 20 C
+ 60 C
AFBR
브랜드: Broadcom / Avago
습도에 민감: Yes
제품 유형: Photodiodes
팩토리 팩 수량: 400
하위 범주: Optical Detectors & Sensors
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

CNHTS:
8541490000
CAHTS:
8541490010
USHTS:
8541491050
JPHTS:
854149000
TARIC:
8541490000
BRHTS:
85414900
ECCN:
EAR99

AFBR-S4N22P014M NUV-MT 광전자 증배기 어레이

Broadcom AFBR-S4N22P014M NUV-MT 광전자 증배기 어레이는 단일 광자의 초음파 정밀 측정을 위해 설계되었습니다. 이 광전자 증배기 어레이는 탁월한 단일 광자 시간 분해능(SPTR) 및 CRT가 특징 입니다. 이 광전자 증배기 어레이는 장치 간에 우수한 항복 전압과 이득 균일성을 제공합니다. AFBR-S4N22P014M SiPM 어레이는 고투명 에폭시 보호층을 포함하여 가시광선 스펙트럼에서 넓은 응답 범위를 제공하며, 특히 청색광 및 근자외선 영역에 대한 높은 감도를 나타냅니다. 이 광전자 증배기 어레이는 -20 ~ ° 60°C의 작동 온도 범위에서 작동하고, RoHS, CFM 및 REACH 규격을 준수합니다. 일반 애플리케이션은 X-레이 및 감마선 감지, 핵 의학, 포지셔론 방출 단층 촬영, 안전 및 보안, 물리학 실험 및 체렌코프 감지에 사용됩니다.