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SI7454FDP-T1-RE3

Name: Vishay SI7454FDP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI7454FDP-T1-RE3
Price: 1971 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SI7454FDP-T1-RE3

제조업체 번호:

SI7454FDP-T1-RE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET SOT669 100V 23.5A N-CH MOSFET

데이터시트:

SI7454FDP-T1-RE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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재고 상태: 18,152

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최소: 1 배수: 1

단가:

₩-

합계:

₩-

예상 관세:

포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,971	₩1,971
	₩1,255.6	₩12,556
	₩766.5	₩76,650
	₩622	₩311,000
	₩573.8	₩573,800
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩512.5	₩1,537,500
	₩489.1	₩2,934,600
	₩464.3	₩4,178,700
	₩462.8	₩11,107,200

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	PowerPAK-SO-8
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	100 V
Id - 연속 드레인 전류:	23.5 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	29.5 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.4 V
Qg - 게이트 전하:	17.4 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	39 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
하강 시간:	4 ns
순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소:	33 S
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	5 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	19 ns
표준 턴-온 지연 시간:	9 ns

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SI7454FDP-T1-RE3 데이터시트

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Si7454FDP N- 채널 100V MOSFET

Vishay/Siliconix Si7454FDP N-채널 100V MOSFET은 매우 낮은 RDS X Qg FOM(성능 지수)을 제공하는 TrenchFET® Gen IV 전력 MOSFET입니다. Si7454FDP는 23.5A I_D 및 8nC Q_g 를 제공합니다. Vishay/Siliconix Si7454FDP MOSFET은 단일 PowerPAK^® SO-8 패키지로 제공되고 -55~+150°C의 작동 접합 및 보관 온도 범위를 제공합니다.

Si74 MOSFET

Vishay Si74 MOSFET은 온 상태 저항을 낮추어 30~250V 범위에서 신뢰성과 성능을 보장하는 TrenchFET® 기술이 특징입니다. N-채널 및 P-채널 MOSFET은 IEC 61249-2-21 정의에 따라 무할로겐입니다. PowerPAK® 패키지로 제공되는 이 MOSFET은 낮은 열 저항, 콤팩트한 크기 및 슬림한 1.07mm 프로파일을 자랑하므로 공간 및 열 관리가 중요한 애플리케이션에 이상적입니다.

TrenchFET Gen IV MOSFET

Vishay / Siliconix TrenchFET^® Gen IV MOSFET은 차세대 TrenchFET® 전력 MOSFET 제품군입니다. TrenchFET Gen IV MOSFET은 PowerPAK^® SO-8 및 1212-8S 패키지로 업계에서 낮은 온저항과 낮은 총 게이트 전하를 제공합니다. 이 TrenchFET Gen IV MOSFET은 극도로 낮은 R_DS(on)이 특징이며 전력 소비 감소를 위해 전도 손실을 낮춥니다. TrenchFET MOSFET은 또한 1/3의 크기이며 비슷한 효율을 자랑하는 공간 절약형 PowerPAK^® 1212-8 패키지와 함께 제공됩니다. 일반적인 애플리케이션으로는 고전력 DC / DC 컨버터, 동기식 정류, 태양광 마이크로인버터 및 모터 드라이브 스위치가 있습니다.