1,200V PIM 3상 입력 정류기

Infineon Technologies 1,200V PIM 3상 입력 정류기는 EconoPIM™ 2 1,200V, 100A 3상 PIM IGBT 모듈입니다. 이 정류기는 TRENCHSTOP™ IGBT7, 이미터 제어 7 다이오드 및 NTC가 특징입니다.정류기와 제동 초퍼가 통합된 PIM(전력 통합 모듈)을 사용하면 시스템 비용을 절감할 수 있습니다. 

결과: 7
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
게이트-이미터 누설 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
기술
포장
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module
데이터시트
33재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 LOW POWER ECONO
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM IGBT module
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Si Tray