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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 제품 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 게이트-이미터 누설 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Infineon Technologies FP35R12N2T7BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module 15재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 LOW POWER ECONO 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 100 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray


Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 13 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP35R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.6 V 35 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP50R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
배수: 15

IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.5 V 50 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FP75R12N2T7B11BPSA2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A PIM IGBT module 비재고 리드 타임 12 주
최소: 15
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IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 1.2 kV 1.55 V 75 A 100 nA - 40 C + 175 C Tray