RGE 필드 스톱 트렌치 IGBT

ROHM Semiconductor RGE 필드 스톱 트렌치 IGBT는 낮은 콜렉터-이미터 포화 전압, 낮은 스위칭 손실, 5μ초의 단락 내구성 시간을 특징으로 합니다.  ROHM Semiconductor RGE IGBT는 높은 스트레스 조건에서도 안정적인 작동을 보장합니다. 내장된 고속·소프트 리커버리 FRD로 효율을 높였으며, Pb-free 리드 도금으로 RoHS 규격을 준수합니다. RGE 시리즈는 일반 인버터, 무정전 전원 장치(UPS), 파워 컨디셔너, 용접기 등에 최적화되어 있으며, 최신 전력 관리 요구를 충족하는 강력한 솔루션을 제공합니다. 

결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
포장
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
570재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 74 A 230 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
590재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 51 A 166 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 63 A 200 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247GE-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V 30 V 102 A 306 W - 40 C + 175 C Tube