650V CoolMOS™ CFD7A SJ 전력 MOSFET

Infineon Technologies  650V CoolMOS™ CFD7A SJ 전력 MOSFET은 보드 내장형 충전기, HV-LV DC-DC 변환기 및 보조 전원 공급 장치와 같은 전기차 애플리케이션에 사용됩니다. 향상된 우주 방사 견고성 덕분에 CoolMOS CFD7A SJ 전력 MOSFET을 사용하면 이전 세대 및 기타 시장 제품과 동일한 신뢰도로 더 높은 배터리 전압을 인가할 수 있습니다. CoolMOS CFD7A SJ 전력 MOSFET은 하드 및 공진 스위칭 토폴로지에서, 특히 경부하 조건에서 고효율을 보장합니다 이전 세대의 주파수에 비해 게이트 손실 레벨에서 더 높은 스위칭 주파수에 도달합니다. 시스템 중량과 점유 공간이 작아져 더욱 콤팩트한 설계가 가능합니다.

결과: 48
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
503재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 650 V 21 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 41 nC - 40 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
564재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
5재고 상태
5,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
218재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
60재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 99 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 53 nC - 55 C + 150 C 127 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
45재고 상태
240예상 2027-06-03
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 63 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R080CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
41재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 36 A 150 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 50 nC - 40 C + 150 C 223 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
3,004주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 92 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
240예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 234 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPQC65R040CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
722예상 2026-09-18
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 64 A 76 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 97 nC - 40 C + 150 C 357 W Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,880주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
240주문 중
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 36 nC - 40 C + 150 C 98 W Enhancement Reel
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 19 주
최소: 500
배수: 500

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 50 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 102 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 23 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 41 nC - 55 C + 150 C 114 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
리드 타임 21 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 190 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 21 주
최소: 240
배수: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 234 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 22 nC - 40 C + 150 C 446 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 21 주
최소: 240
배수: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 21 주
최소: 240
배수: 240

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 68 nC - 40 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 63 A 35 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 145 nC - 40 C + 150 C 305 W Enhancement Tube
Infineon Technologies IPDQ65R099CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 750
배수: 750
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 29 A 194 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 39 nC - 40 C + 150 C 186 W Reel
Infineon Technologies IPDQ65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
비재고 리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPQC65R125CFD7AXTMA1
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS
데이터시트
리드 타임 22 주
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 1 Channel 650 V 24 A 240 mOhms - 10 V, 10 V 4 V 32 nC - 40 C + 150 C 160 W Reel, Cut Tape