MDmesh K5 Power MOSFETs

STMicroelectronics MDmesh K5 series are very-high voltage MOSFETs with super-junction, industry's best RDS(on), and figure of merit for increased power density and efficiency. Typical applications include LED lighting, metering, solar inverters, 3-phase auxiliary power supplies, welding, and automotive battery management.

결과: 141
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장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 2.1Ohm typ 2.5A Zener-protecte
데이터시트
1,219재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT PowerFLAT-5x6-8 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 38 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220 package
데이터시트
700재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 6 A 1.3 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 21.5 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
데이터시트
595재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.37 Ohm 12 A Zener-protect
데이터시트
333재고 상태
1,000예상 2026-03-10
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 370 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 29 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
데이터시트
913재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.50 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
1,143재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 1.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 1.3 Ohm typ., 4.5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
480재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1.6 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.72 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
766재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 720 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 17.7 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
데이터시트
1,602재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 950V .65Ohm typ 8A Zener-protected
데이터시트
448재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 950 V 8 A 800 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 22 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5 A MDmesh K5
데이터시트
366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 19.5 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
데이터시트
248재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1.05 kV 4 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 38 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 long le
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60재고 상태
600예상 2026-03-10
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 40 A 88 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 89 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 4.2Ohm typ 2A Zener-protected
데이터시트
930재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 2 A 4.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800 V 0.76 Ohm 6 A Zener-protected
데이터시트
410재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 950 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement SuperMESH Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 1200 V, 0.62 Ohm typ., 12 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package
데이터시트
911예상 2026-04-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 12 A 620 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 44.2 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 800V 0.3Ohm 14A pwr MOSFET
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 14 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
데이터시트
717재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.55 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 630 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
393재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 2.75 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 2.63 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte
데이터시트
181재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2.5 A 2.8 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 950V 2Ohm typ 3.5A Zener-protected
데이터시트
461재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 950 V 3.5 A 2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package
데이터시트
474재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 5 A 1.15 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 12 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 800 V, 3.5 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in an IPAK package
데이터시트
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132재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 2 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 9.5 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 2.1 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 10.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement MDmesh Reel