MR4A08B & MR4A16B 16Mb Parallel MRAMs

Everspin Technologies MR4A08B and MR4A16B 16Mb Parallel MRAM devices provide SRAM compatible 35ns read/write timing with unlimited endurance. The Everspin Technologies MR4A08B is a 16,777,216-bit Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) device organized as 2,097,152 words of 8 bits. 

결과: 19
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수량 RoHS ECAD 모델 패키지/케이스
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조직
데이터 버스 너비
액세스 시간
공급 전압 - 최소
공급 전압 - 최대
작동 공급 전류
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
611재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,217재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
470재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
1,118재고 상태
최소: 1
배수: 1

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
279재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
218재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
403재고 상태
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
675예상 2026-04-08
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
736예상 2026-04-15
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
978예상 2026-04-15
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel, Cut Tape, MouseReel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 480
배수: 240

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,500
배수: 1,500
릴: 1,500

TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
리드 타임 27 주
최소: 1
배수: 1

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(자기 메모리) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(자기 메모리)
데이터시트
비재고 리드 타임 27 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel