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SI3129DV-T1-GE3

Name: Vishay SI3129DV-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SI3129DV-T1-GE3
Price: 1533 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-SI3129DV-T1-GE3

제조업체 번호:

SI3129DV-T1-GE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET TSOP6 P-CH 80V 3.8A

데이터시트:

SI3129DV-T1-GE3 데이터시트

ECAD 모델:

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추가 정보

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최소: 1 배수: 1

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₩-

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포장:

전체 릴(3000의 배수로 주문)

컷 테이프

MouseReel™ (+₩8,000)

가격 (KRW)

수량	단가	합계
컷 테이프/MouseReel™ ^†
	₩1,533	₩1,533
	₩962.1	₩9,621
	₩629.3	₩62,930
	₩486.2	₩243,100
	₩439.5	₩439,500
전체 릴(3000의 배수로 주문)
	₩373.8	₩1,121,400
	₩331.4	₩1,988,400
	₩327	₩2,943,000
	₩315.4	₩7,569,600

† ₩8,000 MouseReel™ 수수료는 장바구니에 더해져 계산됩니다. 모든 MouseReel™ 주문은 취소 및 환불이 불가능합니다. ↩

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	TSOP-6
트랜지스터 극성:	P-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	80 V
Id - 연속 드레인 전류:	5.4 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	82.7 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 20 V, 20 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	2.5 V
Qg - 게이트 전하:	12 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	4.2 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	TrenchFET
포장:	Reel
포장:	Cut Tape
포장:	MouseReel
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
하강 시간:	12 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	8 ns
팩토리 팩 수량:	3000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	TrenchFET Power MOSFET
표준 턴-오프 지연 시간:	25 ns
표준 턴-온 지연 시간:	15 ns
단위 중량:	20 mg

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속성 선택됨: 0

문서 필터:

데이터시트

SI3129DV-T1-GE3 데이터시트

Technical Resources

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CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Si3129DV P 채널 80V(D-S) MOSFET

Vishay/Siliconix Si3129DV P-채널 80V(D-S) MOSFET은 100% R_g 테스트를 거쳤으며 TSOP-6 단일 패키지로 제공됩니다. Si3129DV MOSFET은 ±20V 게이트 소스 전압과 -55~150°C의 작동 접합 온도 범위를 제공합니다. Vishay/Siliconix Si3129DV P-채널 80V MOSFET은 휴대용 및 소비자 애플리케이션을 위한 전력 관리를 위해 설계되었습니다.