QuadRAM 디바이스

ISSI QuadRAM 디바이스에는 셀프 리프레시 DRAM 어레이를 사용하는 8Mb/16Mb/32Mb PS RAM(Pseudo-Static Random Access Memory)이 포함되어 있습니다. 이와 같은 어레이는 8Mb, 16Mb, 32Mb에 대해 각각 8비트 기준 1백만 개 문자, 2백만 개 문자, 4백만 개 문자로 구성됩니다. 해당 QuadRAM 디바이스는 JEDEC 표준 x4 xSPI 플래시와 호환되는 쿼드 DDR 인터페이스를 지원합니다. 이와 같은 디바이스는 저신호 카운트, Hidden 리프레시, 자동차용 온도 동작을 지원합니다. DDR 동작으로 4개의 SIO 핀을 통해 전송되는 최소 데이터 크기는 1바이트(8비트)입니다.

결과: 6
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스

ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
367재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 8

16 Mbit 4 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
389재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 1

32 Mbit 8 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 16Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
464재고 상태
최소: 1
배수: 1

16 Mbit 4 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 133MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
415재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

8 Mbit 2 M x 4 7 ns 133 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24

ISSI SRAM 8Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
262재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 200

8 Mbit 2 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
46재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 13

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24