MJD31C 양극성 트랜지스터

Onsemi MJD31C 양극성 트랜지스터는 범용 증폭기 및 저속 스위칭 애플리케이션을 위해 설계된 NPN 장치입니다. 에폭시를 특징으로 하는 이 보완 전력 트랜지스터는 UL 94V-0 @0.125"을 충족하며 플라스틱 슬리브의 표면 실장 애플리케이션용으로 리드가 형성됩니다. MJD31C 트랜지스터는 -65 °C~150 °C의 온도 범위, 5VEB의 이미터 기반 전압, 3ADC 연속 전류에서 작동합니다. 이러한 양극성 트랜지스터는 일반적으로 DPAK(TO-252) 패키지에 들어 있으며 무연(Pb-free) 및 RoHS 준수 장치입니다. MJD31C NPN 트랜지스터는 전원 관리, 부하 스위치, 선형 전압 조정기, 정전류 드라이브 백라이트 및 모터 드라이브 회로에 이상적입니다.

결과: 4
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 최대 DC 콜렉터 전류 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-베이스 전압 VCBO 이미터-베이스 전압 VEBO 콜렉터-이미터 포화 전압 Pd - 전력 발산 게인 대역폭 제품 fT 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 3.0 A, 100 V NPN Bipolar Power Transistor 2,389재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT NPN Single 5 A 40 V 40 V 5 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 65 C + 150 C MJD31C Reel, Cut Tape
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 3A 100V 15W NPN 13,060재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 3 A 100 V 100 V 5 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 65 C + 150 C MJD31C Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 3A 100V 15W NPN 4,606재고 상태
2,775예상 2026-05-12
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 3 A 100 V 100 V 5 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 65 C + 150 C MJD31C Tube
onsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 3A 100V 15W NPN 83재고 상태
3,600예상 2026-06-26
최소: 1
배수: 1
: 1,800

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 3 A 100 V 100 V 5 V 1.2 V 15 W 3 MHz - 65 C + 150 C MJD31C Reel, Cut Tape, MouseReel