CGHV31500F1

Name: MACOM CGHV31500F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV31500F1
Price: 1814181 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

941-CGHV31500F1

제조업체 번호:

CGHV31500F1

제조업체:

MACOM

설명:

GaN FET 500W, GaN HEMT, 50V, 2.7-3.1GHz,Long-pulse, Flange

데이터시트:

CGHV31500F1 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	MACOM
제품 카테고리:	GaN FET
배송 제한사항:	이 제품을 미국에서 수출하기 위해서는 추가적인 서류가 요구될 수 있습니다.
RoHS:	N
장착 스타일:	Screw Mount
패키지/케이스:	440226-2
트랜지스터 극성:	N-Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	150 V
Id - 연속 드레인 전류:	500 mA
최저 작동온도:	- 40 C
최고 작동온도:	+ 75 C
Pd - 전력 발산:	418 W
브랜드:	MACOM
최대 드레인 게이트 전압:	- 2.7 V
최대 작동 주파수:	3.1 GHz
최소 작동 주파수:	2.7 GHz
출력 전력:	500 W
포장:	Tray
제품 유형:	GaN FETs
팩토리 팩 수량:	1
하위 범주:	Transistors
기술:	GaN
트랜지스터 타입:	GaN HEMT

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문서 필터:

데이터시트

CGHV31500F1 데이터시트 (PDF)

PCN

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CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: 3A001.b.3.a.2

CGHV31500F1 2.7GHz~3.1GHz, 500W GaN HEMT

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