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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명 포장
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 20 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V, 0.1 50 Ohm, 17 A MDmesh 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 179 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 340 mOhms 85 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 650 V MDMesh M5 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 17 A 150 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 50 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 96 A 19 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 350 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 60 Amp 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600

Si Through Hole Max247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 60 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 266 nC - 65 C + 150 C 560 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.63 Ohm 6.5A MDmesh II PWR 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.5 A 630 mOhms MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V - 65 C + 150 C 160 W Enhancement Reel
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 95 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 72 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET N-CH 800V IPAK DPAK Mdmesh PWR MOSFET 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6.5 A 1.05 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO 비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 600 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 15 nC - 55 C + 150 C 25 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh 비재고 리드 타임 16 주
최소: 600
배수: 600
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube