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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm 9A MDmesh M5 MOS
데이터시트
1,330재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 480 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 17 nC - 55 C + 150 C 85 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II
데이터시트
1,037재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.27ohm 13A MDmesh
데이터시트
314재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 35 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.124 Ohm 22 A MDmesh
데이터시트
229재고 상태
1,000예상 2026-04-06
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms 30 W MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 11 Amp
데이터시트
306재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 30 nC - 65 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 Volt 12 Amp
데이터시트
376재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 299 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V
데이터시트
757재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9.4 A 220 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 31 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.27 ohm 13A MDmesh
데이터시트
913재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 260 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 35 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500 Volt 20 Amp
데이터시트
259재고 상태
1,000예상 2026-04-13
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 56 nC - 65 C + 150 C 192 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600 Volt 20 Amp
데이터시트
313재고 상태
1,000예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 290 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 54 nC - 65 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500V 0.162 Ohm MDmesh II 17A Switch
데이터시트
212재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 17 A 162 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 45 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 500V 0.73 Ohm 5A MDmesh II PWR MO
데이터시트
597재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 5 A 790 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 14 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V Mdmesh II Power
데이터시트
335재고 상태
600예상 2026-05-04
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V 22 A
데이터시트
15재고 상태
600예상 2026-03-09
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 22 A 139 mOhms - 25 V, 25 V 5 V 64 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650 V 0.124 Ohm 22 A MDmesh M5
데이터시트
600재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 13.9 A 148 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.092V Ohm 29A MDmesh II PWR M
데이터시트
173재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31.5 A 105 mOhms - 25 V, 25 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS
데이터시트
3,951예상 2026-03-16
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 35 A 78 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 210 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.024 Ohm 84A MDMesh M5
데이터시트
2,979예상 2026-09-28
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 84 A 29 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 204 nC - 55 C + 150 C 450 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh
데이터시트
442재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 44 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-CH 65V 33A MDMESH
데이터시트
44재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 79 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 98 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 600V 0.168 Ohm 17A Mdmesh II MOS
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 44 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH
데이터시트
리드 타임 14 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 360 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 27 nC - 55 C + 150 C 90 W MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29 A MDmesh M5
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1,000
배수: 1,000
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 18.3 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 190 W Enhancement MDmesh Reel
STMicroelectronics MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 27 A 85 mOhms - 25 V, 25 V 4 V 83 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics MOSFET N-Ch 650V 0.098 Ohm 29A MDMesh M5 MOS
데이터시트
비재고 리드 타임 14 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 28 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3 V 62.5 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube