SuperFET® V MOSFET

onsemi SuperFET® V MOSFET는 5세대 고전압 SJ(초접합) MOSFET입니다. 이 장치는 고부하뿐만 아니라 경부하효율을 개선하기 위해 동급 최고의 FoM(성능 지수) (RDS(온)·QG 및RDS(온)·EOSS)를 제공합니다. 600V SuperFET V MOSFET는 전도와 스위칭 손실을 줄이는 동시에 120V/ns에서 극한 MOSFETdVDS/dt 등급을 지원함으로써 설계의 이점을 제공합니다. SuperFET V MOSFET FAST 시리즈는 시스템 효율과 전력 밀도를 극대화하는 데 도움이 됩니다. SuperFET V MOSFET Easy Drive 시리즈는 하드 및 소프트 스위칭 토폴로지 모두에 사용 편의성을 희생 시키지 않고 탁월한 스위칭 성능을 결합한 제품입니다. 일반적으로 전기 통신, 클라우드 시스템 및 산업에 사용됩니다.

결과: 5
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 99MOHM TO-247-3
데이터시트
331재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 99 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 48 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V EASY ZENER 280MOHM WITH DPAK
데이터시트
2,355재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 280 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 17.9 nC - 55 C + 170 C 89 W Enhancement Reel, Cut Tape

onsemi MOSFET SUPERFET5 EASY 120MOHM TO-247-3
데이터시트
761재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 28 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET5 FAST 41MOHM TO-247-3
데이터시트
504재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 57 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 4.3 V 108 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF5 600V FAST 61MOHM FOR
데이터시트
3,000예상 2026-07-17
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 61 mOhms 30 V 4.3 V 73.6 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape