UJ3N Normally-On JFET Transistors

onsemi UJ3N JFET Transistors are high-performance, SiC Normally-On Junction Gate Field-Effect Transistors with options ranging from 650V to 1700V. This series exhibits ultra-low on resistance (RDS(ON)), as low as 25mΩ, and low gate charge (QG), allowing for low conduction and reduced switching loss. The device's normally-on characteristics with low RDS(ON) at VGS = 0V are also ideal for current protection circuits without the need for active control. The UJ3N JFET transistors are also commonly used in series connection with a Si-MOSFET as robust "Supercascodes," giving all of the advantages of wide band-gap technology with very high operating voltages and easy gate drive.

결과: 5
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 구성 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Vgs - 게이트 소스 항복 전압 드레인 소스 전류(Vgs=0) Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 자격 포장
onsemi JFET 650V/25MOSICJFETG3TO247-3 649재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 85 A 25 mOhms 441 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/35MOSICJFETG3TO247-3 604재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 63 A 35 mOhms 429 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 650V/80MOSICJFETG3TO247-3 563재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 650 V 20 V 32 A 80 mOhms 190 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/65MOSICJFETG3TO247-3 538재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV - 20 V to 3 V 5 uA 34 A 90 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube
onsemi JFET 1200V/70MOSICJFETG3TO247-3 516재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Through Hole TO-247-3 N-Channel Single 1.2 kV 20 V 33.5 A 70 mOhms 254 W - 55 C + 175 C UJ3N AEC-Q101 Tube