IGBT7 Discretes

Infineon Technologies IGBT7 디스크리트는 마이크로 패턴 트렌치 기술로 제작된 7세대 TRENCHSTOP™IGBT입니다. 이 첨단 기술은 탁월한 제어 및 성능을 제공하여 애플리케이션에서 상당한 손실 감소, 효율성 향상 및 전력 밀도 증가를 가져옵니다.

결과: 45
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package 84재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package 208재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 229재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 337재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 71재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 97재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 110재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 68재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 338 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 82재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 121재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 207재고 상태
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 1,511재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 60 A 188 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package 2,540재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 428 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247-4 package 251재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package 354재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 36 A 176 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 25 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package 453재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 55 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package 380재고 상태
240예상 2026-03-05
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.65 V - 20 V, 20 V 82 A 357 W - 40 C + 175 C IGBT7 S7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package 2재고 상태
720예상 2026-05-21
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 333 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package
479예상 2026-03-02
최소: 1
배수: 1

- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
605주문 중
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 273 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube