DDR4 DRAM Solutions

ATP Electronics DDR4 DRAM Solutions combine up to 3200 MT/s data transfer rate and a mere 1.2V power consumption. This delivers faster performance at higher power savings over earlier DRAM technologies. As the evolutionary transition from DDR3, DDR4 supports features and functions that are well-suited for increasing bandwidth capabilities to support the growth of online traffic.

결과: 15
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 제품
메모리 크기
메모리 타입
속도
작동 공급 전압
핀 수
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
11재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 8 GB DDR3 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
28재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs, ECC 8 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
3재고 상태
최소: 1
배수: 1
DIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
20재고 상태
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 4 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 8 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Registered ECC Module VLP
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs, ECC 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 32GB Unbuffered Non ECC Module
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
DIMMs 32 GB DDR4 3200 MT/s 1.2 V 288 Pin
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs, ECC 8 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 2133 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs, ECC 16 GB DDR3 3200 MT/s
ATP Electronics 메모리 모듈 4GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
리드 타임 29 주
최소: 1
배수: 1
SODIMMs 4 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 8GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 8 GB DDR3 3200 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB DDR4-2133 Unbuffered Non-ECC Sodimm 비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 2133 MT/s 1.5 V
ATP Electronics 메모리 모듈 16GB Unb Non-ECC SODIMM
데이터시트
비재고 리드 타임 29 주
최소: 50
배수: 50
SODIMMs 16 GB DDR4 3200 MT/s 1.5 V