TRENCHSTOP™ Advanced Isolation

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ Advanced Isolation은 설계 유연성, 고출력, 냉각 효율 증대, 높은 신뢰성, 전기 절연 성능을 제공합니다. TRENCHSTOP Advanced Isolation은 신뢰성이 높고 0.2%의 높은 효율성과 10% 더 나은 냉각 효율을 제공합니다. 완전 절연 패키지(FullPAK)와 표준 및 고성능 절연 호일을 대체하도록 두 가지 버전의 성능이 최적화되었습니다. 새로운 이 패키지는 에어컨용 PFC(역률 보정), UPS(무정전 전원 공급 장치) 및 드라이브용 전력 컨버터 같은 애플리케이션을 대상으로 합니다.

이산 반도체의 유형
카테고리 보기 변경
결과: 9
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS 제품 유형
기술
장착 스타일
패키지/케이스
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
데이터시트
650재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies 소신호 스위칭 다이오드 HOME APPLIANCES
데이터시트
230재고 상태
최소: 1
배수: 1

Diodes - General Purpose, Power, Switching Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT HOME APPLIANCES
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
97재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 240
배수: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 240
배수: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 240
배수: 240

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3